Nowe rozwiązanie SK hynix: UFS 4.1 z 321-warstwowym NAND
Kluczowe zalety produktu:
- Optymalizacja pod kątem AI w urządzeniach: najlepsza wydajność przy sekwencyjnym odczycie i niskim poborze mocy
- 15% cieńsza konstrukcja, idealna do ultrasmukłych smartfonów
- Portfolio z najwyższym na świecie 321-warstwowym produktem, wzmacniające pozycję SK hynix jako dostawcy pamięci AI
SEOUL, Korea Południowa, 21 maja 2025 /PRNewswire/ — SK hynix Inc. (www.skhynix.com) ogłosił dziś opracowanie rozwiązania UFS 4.1 z wykorzystaniem najnowocześniejszej 321-warstwowej pamięci 1Tb TLC 4D NAND flash przeznaczonej dla urządzeń mobilnych.
Rozwój tego rozwiązania jest odpowiedzią na rosnące wymagania dotyczące wysokiej wydajności i niskiego poboru mocy pamięci NAND, niezbędnych do stabilnego działania AI bezpośrednio w urządzeniach. Firma przewiduje, że produkt UFS 4.1, zoptymalizowany pod kątem obciążeń związanych ze sztuczną inteligencją, umocni jej pozycję na rynku flagowych smartfonów.
Wzrost zapotrzebowania na AI w urządzeniach zwiększa znaczenie równowagi między mocą obliczeniową a efektywnością energetyczną. Rynek mobilny wymaga teraz coraz cieńszych i energooszczędnych rozwiązań.
Nowy produkt oferuje o 7% lepszą efektywność energetyczną w porównaniu z poprzednią generacją opartą na 238-warstwowym NAND. Jego grubość wynosi zaledwie 0,85 mm (wcześniej 1 mm), co pozwala na zastosowanie w ultrasmukłych smartfonach.
Rozwiązanie zapewnia również prędkość transferu danych na poziomie 4300 MB/s – najszybszy sekwencyjny odczyt* wśród pamięci UFS czwartej generacji. Poprawiono także wydajność losowego odczytu i zapisu** (kluczowych dla wielozadaniowości) odpowiednio o 15% i 40%. Dzięki temu AI w urządzeniach będzie działać szybciej, a aplikacje staną się bardziej responsywne.
Wyjaśnienie terminów:
- *Sekwencyjny odczyt/zapis: prędkość odczytu i zapisu danych w plikach ułożonych kolejno.
- **Losowy odczyt/zapis: prędkość odczytu i zapisu danych w rozproszonych plikach.
SK hynix planuje uzyskać certyfikację klientów jeszcze w tym roku, a masową wysyłkę rozpocząć w pierwszym kwartale przyszłego roku. Produkt będzie dostępny w dwóch wersjach pojemnościowych: 512GB i 1TB.
Ahn Hyun, Prezes i Dyrektor ds. Rozwoju, zapowiedział, że SK hynix planuje w tym roku zakończyć prace nad SSD opartym na 321-warstwowym 4D NAND dla konsumentów i centrów danych. "Dążymy do umocnienia pozycji jako kompleksowego dostawcy pamięci AI w segmencie NAND, oferując produkty z przewagą technologiczną."
O firmie SK hynix Inc.
SK hynix Inc. z siedzibą w Korei to światowy lider w produkcji półprzewodników, dostarczający kości DRAM i pamięci flash NAND dla klientów na całym świecie. Akcje spółki są notowane na giełdzie w Korei, a globalne certyfikaty depozytowe na giełdzie w Luksemburgu. Więcej informacji: www.skhynix.com, news.skhynix.com.
Źródło oryginalnej treści z multimediami: https://www.prnewswire.com/news-releases/sk-hynix-develops-ufs-4-1-solution-based-on-321-high-nand-302462568.html
ŹRÓDŁO: SK hynix Inc.
